时子羿

SLC/MLC/TLC科普
SLC传统上,每个存储单元内存储1个信息比特,称为单阶存储单元(Single-Level Cell,SLC),使用...
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2018/05

SLC/MLC/TLC科普

SLC

传统上,每个存储单元内存储1个信息比特,称为单阶存储单元(Single-Level Cell,SLC),使用这种存储单元的闪存也称为单阶存储单元闪存(SLC flash memory),或简称SLC闪存。SLC闪存的优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而,由于每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,大多数用在企业上,很少有消费型SLC存储设备拿来贩卖。

MLC

多阶存储单元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每个存储单元内存储2个以上的信息比特,其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特,MLC闪存可降低生产成本,但比起SLC闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡,也用在最常见的消费型固态硬盘和U盘上。

TLC

三阶储存单元(Triple-Level Cell, TLC),这种架构的原理与MLC类似,但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢,寿命也比SLC和MLC短,大约1000次。

运作原理

闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。

存储器层次结构表现为如下顺序:

1.SLC - (最快,高成本)

2.MLC

3.TLC - (最慢,低成本)

Last modification:May 30th, 2018 at 08:19 am
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